规格书 |
2N7000/02, NDS7002A Datasheet |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 200mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 | 400mW |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
associated | 2N7000G 2N7000_D26Z 2N7000 MPX05GFNB 629443 |
2N7000也可以通过以下分类找到